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传上海微电子研发出11nm光刻机，请问是真的吗？有谁知道？国产光刻机能实现多少nm工艺制程？传上海微电子研发出11nm光刻机，请问是真的吗？有谁知道？据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机，并且次光刻机在经过多次曝光之后，可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看，这个消息应该是真的。也就是说，国内在2021年，就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说，还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比，但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。
按光源来分的话，光刻机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机，其制程工艺节点为800纳米-250纳米；第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机，其制程工艺节点也是800纳米-250纳米；第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机，其制程工艺节点为180纳米-130纳米；第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机，其制程工艺节点为130纳米-65纳米，45纳米-22纳米；第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机，其制程节点为22纳米-7纳米。
而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机，制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机，迄今过去了13年。经过14年的发展，再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说，我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的，最明显的例子就是KBBF晶体。
另外光刻机比较重要的镜头，国内也是可以自制的。长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75nmRMS的两镜EUV光刻物镜系统。清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm，4.7nm。所以说，光刻机最重要掩膜台和工作台，镜头组，光源都可以由国内单位自己制造出来，那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不会一下子就上去，还要过段时间才可以提升上去。
另外，上海微电子即将交付的光刻机，在经过多次曝光之后，制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来，对那些芯片并不急需，但要求制程工艺的公司来说，也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机，就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源，我国还需要加大研发力度，争取早日取得突破。只要光源突破之后，那剩下的就没有什么太大的难题了
由此可知，上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。
国产光刻机能实现多少nm工艺制程？国产光刻机90nm制程工艺，荷兰ASML光刻机7nm制程工艺，按照专家的说法，至少有15年的差距。制程工艺的差距，主要体现了我国和西方发达国家在精密制造领域的差距。
光刻机的格局目前，光刻机市场几乎被荷兰ASML、日本尼康和佳能、上海微电子四家所垄断。在这里面又分为三个梯队，荷兰ASML垄断了高端光刻机市场份额，日本尼康和佳能处于中端市场，同时竞争低端市场，而上海微电子只有低端市场。
上海微电子（SMEE）成立于2002年，成立之初到荷兰ASML参观见学，被调侃“即使把图纸和元件全部给你们，你们也装配不出来”。上海微电子经过自力更生，硬是打了国外公司的脸，2007年研制成功了90nm制程工艺的光刻机。
世界最先进的光刻机厂商是荷兰的ASML，7nmEUV光刻机只有荷兰ASML能够生产。我国大陆的晶圆代工厂中芯国际，大部分使用的ASML的高端光刻机，已经量产14nm工艺芯片，突破了N+1、N+2工艺，然而后续的先进制程工艺仍然需要EUV光刻机。中芯国际早在2018年就成功预定了EUV光刻机，然而受到各方面因素的阻挠，至今未收货。
差距在哪里？从2007年，上海微研制成功90nm制程，至今13年过去了，上海微仍然停留在量产90nm制程工艺光刻机，这是为什么呢?
上海微电子与荷兰ASML光刻机领域的差距，反映了我国和西方发达国家在精密制造领域的差距，一台顶级的光刻机，90%的关键零部件来自不同的发达国家，美国的光源和计量设备、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等等，根据所谓的《瓦森纳协定》，这些顶级零部件对我国是禁运的。
上海微电子是一家系统集成商，自己不生产关键零部件，所以做不出22nm以下的高端光刻机，也不是它的责任。消息称，上海微电子已经突破了28nm制程工艺的关键技术，然而受到供应链的影响，量产时间还未确定。
就目前的形势而言，只能做好中低端领域，慢慢培养国内供应链，逐步向中高端光刻机领域发展。
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